主要特點(diǎn)
單電源供電與高速特性
最低工作電壓可降至 1.7V
2.5V~5.5V 電壓下支持 1MHz 時(shí)鐘頻率
1.7V~2.5V 電壓下支持 400kHz 時(shí)鐘頻率
低功耗CMOS工藝
最大讀取電流：500µA
最大寫入電流：2.5mA
施密特觸發(fā)器與濾波輸入，可抑制噪聲
支持順序讀取與隨機(jī)讀取功能
256 字節(jié)頁寫模式，允許部分頁寫入
額外的可寫鎖定頁功能
自定時(shí)寫入周期（最長 5ms）
高可靠性
允許部分頁寫操作
自定時(shí)寫周期（最大 5ms）
高可靠性：
擦寫次數(shù)：100 萬次
數(shù)據(jù)保存時(shí)間：100 年
HBM靜電防護(hù)：6KV
抗閂鎖能力：±200mA
封裝形式：DIP8、SOP8、TSSOP8
